（c-g）在b中所示的相同CdSe/6MLZnSe核/壳QD阵列中的Cd，盲猜Zn和Se的EDS图像。
因此，骗骗本文研究了这种Ru/B催化剂捕获N2和电化学转化为NH3的机理。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，何利号注投稿邮箱[email protected]。
【成果简介】近日，用某在澳大利亚莫纳什大学东莞理工学院孙成华教授团队（通讯作者）带领下，用某与澳大利亚联邦科学与工业研究组织和澳大利亚斯威本科技大学合作，报道了锚定在硼片上的过渡金属的功函数的第一原理研究，以寻找在环境条件下N2向NH3转化的潜在催化剂。到目前为止，东账洞进硼板已经被证明在超导体、储氢和析氧反应中是有前景的材料。【引言】受到固氮酶和分子催化剂中质子和电子转移的启发，销漏行诈许多研究小组开展了电化学技术和催化剂的研究。
图4Ru/Bα催化的NRR的计算能量分布由Ru/Bα催化的NRR的计算能量分布：盲猜（a）远端，（b）交替和（c）酶促机制。结果表明，骗骗远端机制是形成氨的最佳反应途径，其中α片和β12片的最大限制能垒分别仅为0.42和0.44eV。
何利号注【图文导读】图1 硼单层和TM吸附的DFT的结果（a,b）（a）硼α片和（b）硼β12片的俯视图。
在这些非均相催化剂中，用某单个金属原子可以单独分布在基体中，可以看作是单原子催化剂。低配位金属原子比例高，东账洞进负载相对较低，具有良好的活性。
因此，销漏行诈计算表明，销漏行诈合适的基板为环境条件下的过渡金属N2还原的优化提供了较大的空间，这将鼓励更多的实验和理论研究，探索2D纳米材料作为基板设计高性能单原子过渡金属用于电化学合成氨的催化剂。盲猜步骤0表示在N2吸附过程中转移的电荷。
图2 各种单TM原子在NRR中的吉布斯自由能计算吸附在（a）α片和（b）β12片上的各种单TM原子上的N2分子，骗骗N2H和NH2物质的吉布斯自由能。文献链接：何利号注ConversionofdinitrogentoammoniaonRuatomssupportedonboronsheets:aDFTstudy（J.Mater.Chem.A,2019,DOI:10.1039/C8TA08219G）本文由材料人编辑部学术组木文韬翻译，何利号注材料牛整理编辑。